FDB3860详细
MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
FDB3860参数
包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):37 毫欧 @ 5.9A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1740pF @ 50V,功率 - 最大值:3.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,供应商器件封装:D²PAK